首页 >S29GL064N90BFI04>规格书列表
| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology 文件:3.11245 Mbytes 页数:79 Pages | spansion 飞索 | spansion | ||
64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology 文件:3.11245 Mbytes 页数:79 Pages | spansion 飞索 | spansion | ||
Parallel NOR 闪存 | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
32Mb – 2Gb 3.0V High Performance Parallel NOR Flash | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Parallel NOR 闪存 | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Package:48-VFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA | CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司 | Cypress | ||
Package:48-VFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA | CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司 | Cypress | ||
Package:48-VFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA | CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司 | Cypress |
产品属性
- 产品编号:
S29GL064N90BFI040
- 制造商:
Cypress Semiconductor Corp
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 系列:
GL-N
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
FLASH - NOR
- 存储容量:
64Mb(8M x 8,4M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
90ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-VFBGA
- 供应商器件封装:
48-FBGA(8.15x6.15)
- 描述:
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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