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S29GL064N90BFI040

64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology

文件:3.11245 Mbytes 页数:79 Pages

spansion

飞索

S29GL064N90BFI042

64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology

文件:3.11245 Mbytes 页数:79 Pages

spansion

飞索

S29GL064N90BFI040

Parallel NOR 闪存

Infineon

英飞凌

S29GL064N90BFI042

32Mb – 2Gb 3.0V High Performance Parallel NOR Flash

Infineon

英飞凌

S29GL064N90BFI043

Parallel NOR 闪存

Infineon

英飞凌

S29GL064N90BFI040

Package:48-VFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

S29GL064N90BFI042

Package:48-VFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

S29GL064N90BFI043

Package:48-VFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    S29GL064N90BFI040

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    GL-N

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    64Mb(8M x 8,4M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    90ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-FBGA(8.15x6.15)

  • 描述:

    IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA

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更多S29GL064N90BFI04供应商 更新时间2025-11-1 17:46:00