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S29GL032N90TFI030	文件：3.11245 Mbytes Page：79 Pages	64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology 文件：3.11245 Mbytes 页数：79 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL032N90TFI032	文件：3.11245 Mbytes Page：79 Pages	64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology 文件：3.11245 Mbytes 页数：79 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL032N90TFI033	文件：3.11245 Mbytes Page：79 Pages	64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology 文件：3.11245 Mbytes 页数：79 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL032N90TFI030	文件：300 bytes Page：1 Pages	Parallel NOR 闪存	Infineon 英飞凌	Infineon
S29GL032N90TFI033	文件：300 bytes Page：1 Pages	32Mb – 2Gb 3.0V High Performance Parallel NOR Flash	Infineon 英飞凌	Infineon
S29GL032N90TFI030	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL032N90TFI033	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
S29GL032N90TFI030
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-N
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
32Mb（4M x 8，2M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
90ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	S29GL032N90TFI030	SPANSION	19+	TSOP	36000		询价
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更多S29GL032N90TFI03供应商更新时间2025-11-1 16:04:00

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