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S29GL032N90TFI010	文件：3.11245 Mbytes Page：79 Pages	64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology 文件：3.11245 Mbytes 页数：79 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL032N90TFI012	文件：3.11245 Mbytes Page：79 Pages	64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology 文件：3.11245 Mbytes 页数：79 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL032N90TFI013	文件：3.11245 Mbytes Page：79 Pages	64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology 文件：3.11245 Mbytes 页数：79 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL032N90TFI010	文件：300 bytes Page：1 Pages	32Mb – 2Gb 3.0V High Performance Parallel NOR Flash	Infineon 英飞凌	Infineon
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S29GL032N90TFI010	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56TSOP	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL032N90TFI013	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56TSOP	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
S29GL032N90TFI010
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-N
包装：
托盘托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
32Mb（4M x 8，2M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
90ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
56-TSOP
描述：
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多S29GL032N90TFI01供应商更新时间2025-11-1 13:52:00

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