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S29GL032N11FFIS20	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Parallel NOR Flash Memory - 32Mb – 2Gb 3.0V High Performance, Parallel Page Mode (GL) Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S29GL032N11FFIS22	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Parallel NOR Flash Memory - 32Mb – 2Gb 3.0V High Performance, Parallel Page Mode (GL) Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S29GL032N11FFIS23	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Parallel NOR Flash Memory - 32Mb – 2Gb 3.0V High Performance, Parallel Page Mode (GL) Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S29GL032N11FFIS20	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：64-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL032N11FFIS22	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：64-LBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL032N11FFIS23	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：64-LBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
S29GL032N11FFIS23
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-N
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
32Mb（4M x 8，2M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
110ns
电压 - 供电：
1.65V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LBGA
供应商器件封装：
64-FBGA（13x11）
描述：
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64FBGA

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更多S29GL032N11FFIS2供应商更新时间2025-11-4 10:29:00

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