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S29GL01GS11DHI010	文件：3.73034 Mbytes Page：104 Pages	GL-S MirrorBit Eclipse Flash Non-Volatile Memory Family GL-SMirrorBit®Eclipse™FlashNon-VolatileMemoryFamily S29GL01GS1Gbit(128Mbyte) S29GL512S512Mbit(64Mbyte) S29GL256S256Mbit(32Mbyte) S29GL128S128Mbit(16Mbyte) CMOS3.0VoltCorewithVersatileI/O GeneralDescription TheSpansion®S29GL01G/512/256/128SareMirrorBi	spansionSPANSION 飞索飞索半导体	spansion
S29GL01GS11DHI010	文件：1.54418 Mbytes Page：108 Pages	1-Gbit (128 Mbyte)/512-Mbit (64 Mbyte)/256-Mbit (32 Mbyte)/128-Mbit (16 Mbyte),3.0 V, GL-S Flash Memory GeneralDescription TheCypress®S29GL01G/512/256/128SareMirrorBit®Eclipseflashproductsfabricatedon65nmprocesstechnology.These devicesofferafastpageaccesstimeasfastas15nswithacorrespondingrandomaccesstimeasfastas90ns.Theyfeaturea WriteBufferthatallowsam	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL01GS11DHI010	文件：300 bytes Page：1 Pages	32Mb – 2Gb 3.0V High Performance Parallel NOR Flash;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
S29GL01GS11DHI010	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：64-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp

产品属性

产品编号：
S29GL01GS11DHI010
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-S
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
1Gb（64M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
60ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LBGA
供应商器件封装：
64-FBGA（9x9）
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA

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