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S2551	文件：84.72 Kbytes Page：2 Pages	Si photodiode For visible to infrared precision photometry 文件：84.72 Kbytes 页数：2 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S2551	文件：300 bytes Page：1 Pages	塑料单列直插 S2551 有很长的受光面积： 1.2 × 29.1 mm，用于可见光到近红外的精密光度计测。 \n-长而窄的受光面积： 1.2 × 29.1 mm\n-高灵敏度\n-低电容;	Hamamatsu 滨松光子	Hamamatsu
S2551_15	文件：423.99 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode 文件：423.99 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
SMZ2551	文件：131.74 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES 文件：131.74 Kbytes 页数：2 Pages	EIC	EIC
SMZ2551	文件：533.774 Kbytes Page：2 Pages	1.3W 51V Zener diode 文件：533.774 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SMZ2551	文件：526.73 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES 文件：526.73 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE

技术参数

象元数：
1
封装：
陶瓷
制冷：
非制冷
反偏电压（最大）：
30V
光谱响应范围：
340 to 1060 nm
峰值波长：
920 nm
灵敏度：
0.6 A/W
暗电流：
1000 pA
上升时间（典型值）：
1.4 μs
结电容：
350 pF
测试条件：
Ta=25 ℃，除非特别说明均为典型值。灵敏度：λ=920nm，暗电流： VR=10m V，结电容： VR=0V f=10 kHz

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更多S2551供应商更新时间2026-4-17 15:01:00

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