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S2308

N-channel SiC power MOSFET bare die

文件:731.6 Kbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

S2308

N-channel SiC power MOSFET bare die

文件:947.23 Kbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

S2308

N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFET Bare die

S2308是基于SiC的平面型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。\n\n关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。 · Low ON resistance\n· Fast switching speed\n· Fast revese recovery\n· Easy to parallel\n· Simple to drive;

ROHM

罗姆

S2308_16

N-channel SiC power MOSFET bare die

文件:947.23 Kbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • RoHS:

    Yes

  • Drain-source Voltage[V]:

    1200

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]:

    280

  • Generation:

    2nd Gen

  • Drain Current[A]:

    14

  • Junction Temperature(Max.)[°C]:

    175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

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更多S2308供应商 更新时间2025-12-6 16:31:00