S2305中文资料N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFET Bare die数据手册ROHM规格书

厂商型号 |
S2305 |
参数属性 | S2305 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;S2305应用范围:USB;产品描述:TVS DIODE 5VWM 10.8VC SOT23 |
功能描述 | N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFET Bare die |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ROHM Rohm |
中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
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描述 Description
S2305是基于SiC的平面型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。
特性 Features
· Low ON resistance
· Fast switching speed
· Fast revese recovery
· Easy to parallel
· Simple to drive
技术参数
- 制造商编号
:S2305
- 生产厂家
:ROHM
- RoHS
:Yes
- Drain-source Voltage[V]
:1200
- Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
:450
- Generation
:2nd Gen
- Drain Current[A]
:10
- Junction Temperature(Max.)[°C]
:175
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:175
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
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VISHAY |
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SOT23 |
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VISHAY |
原厂封装 |
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QFN |
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SENSITRONSEMICONDUCTOR |
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SOT-23 |
200000 |
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SENSITRONSEMICONDUCTOR |
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