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S20DP65DNE6

场效应管

世谋微电子提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中/高VDSS MOSFET产品组合,其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。被广泛应用到消费电子、计算机及外设、网络通信,汽车电子、LED显示屏等领域。

SUMSEMI

世谋微电子

S21ME3

DIP6

SHARPSharp Corporation

夏普

上传:深圳市旺财半导体有限公司

S21ME3FY

DIP6

SHARPSharp Corporation

夏普

上传:深圳市旺财半导体有限公司

S21MT2

DIP-4

SHARP/夏普

S2202TBI

BGA

AMCC

Applied Micro Circuits Corporation

上传:深圳市鹏兴电子有限公司

技术参数

  • Polarity:

    Dual P

  • VDS(V):

    -20

  • VGS(±V):

    12

  • ID(A):

    -4

  • RDSON(mΩ)(Max)@2#5V:

    90

  • RDSON(mΩ)(Max)@4#5V:

    65

  • ESDProtected:

    N

  • VGS(th)(V):

    -0.7

  • CISS(pF):

    405

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HITACHI
24+
MODULE
2100
公司大量全新现货 随时可以发货
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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更多S20DP65DNE6供应商 更新时间2025-11-25 17:32:00