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S2000AF分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

S2000AF

参数属性

S2000AF 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 700V 8A TO3PF

功能描述

High voltage NPN Power transistor for standard Definition CRT display
TRANS NPN 700V 8A TO3PF

丝印标识

S2000AF

封装外壳

ISOWATT218FX / TO-3P-3 整包

文件大小

99.39 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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更新时间

2026-1-26 23:00:00

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S2000AF规格书详情

S2000AF属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的S2000AF晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

■ State-of-the-art technology:

– Diffused collector “Enhanced generation”

■ Stable performances versus operating

temperature variation

■ Low base-drive requirement

■ Tigh hFE range at operating collector current

■ High ruggedness

■ Fully insulated power package U.L. compliant

■ In compliance with the 2002/93/EC European

directive

Applications

■ Horizontal deflection output for CRT TV

■ Switch mode power supplies for CRT TV

描述 Description

The S2000AF is manufactured using Diffused

Collector in Planar Technology adopting new and

enhanced high voltage structure for updated

performance to the Horizontal Deflection stage.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    S2000AF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    5V @ 1A,4.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    200µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    4.5 @ 4.5A,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-3PF

  • 描述:

    TRANS NPN 700V 8A TO3PF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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