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S1NB80	文件：271.65 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Rectifiers(800V 1A) Feature •Small-SMD or •Small-DIP	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社	SHINDENGEN
S1NB80	文件：342.07 Kbytes Page：2 Pages	1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS 1.GlassPassivatedforhighreliability/temperatureperforman 2.RVRatingsfrom50to1000Volts 3.Surgeoverloadratingto30Ampspeak 4.Reliablelowcostmoldedplasticconstruction 5.Idealforprintedcircuitboardapplications	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
S1NB80	文件：304.22 Kbytes Page：4 Pages	Bridge Diode	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社	SHINDENGEN
S1NB80-7062	文件：673.34 Kbytes Page：5 Pages	Bridge Diodes 800V, 1A	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社	SHINDENGEN
S1NB80-7101	文件：615.14 Kbytes Page：5 Pages	Bridge Diodes 800V, 1A	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社	SHINDENGEN
STD1NB80	文件：66.26 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL800V-16ohm-1A-DPAK/IPAKPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™Process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD1NB80-	文件：56.38 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL800V-16ohm-1A-IPAKPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STN1NB80	文件：87.26 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL800V-16ohm-0.2A-SOT-223PowerMESH]MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
T1NB80	文件：360.04 Kbytes Page：2 Pages	BridgeRectifier	SIPOWER SiPower Inc.	SIPOWER
T1NB80	文件：277.33 Kbytes Page：2 Pages	BridgeRectifier	SIPOWER SiPower Inc.	SIPOWER

详细参数

型号：
S1NB80
功能描述：
桥式整流器 Bridge
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

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