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S1NB80	文件：271.65 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Rectifiers(800V 1A) Feature •Small-SMD or •Small-DIP	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司
S1NB80	文件：342.07 Kbytes Page：2 Pages	1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS 1.GlassPassivatedforhighreliability/temperatureperforman 2.RVRatingsfrom50to1000Volts 3.Surgeoverloadratingto30Ampspeak 4.Reliablelowcostmoldedplasticconstruction 5.Idealforprintedcircuitboardapplications	DECDIOTEC Electronics Corporation DIOTEC Electronics Corporation
S1NB80	文件：304.22 Kbytes Page：4 Pages	Bridge Diode	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司
S1NB80-7062	文件：673.34 Kbytes Page：5 Pages	Bridge Diodes 800V, 1A	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司
S1NB80-7101	文件：615.14 Kbytes Page：5 Pages	Bridge Diodes 800V, 1A	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司
STD1NB80	文件：66.26 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL800V-16ohm-1A-DPAK/IPAKPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™Process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STD1NB80-	文件：56.38 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL800V-16ohm-1A-IPAKPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STN1NB80	文件：87.26 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL800V-16ohm-0.2A-SOT-223PowerMESH]MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
T1NB80	文件：277.33 Kbytes Page：2 Pages	BridgeRectifier	SIPOWER SiPower Inc.
T1NB80	文件：360.04 Kbytes Page：2 Pages	BridgeRectifier	SIPOWER SiPower Inc.

详细参数

型号：
S1NB80
功能描述：
桥式整流器 Bridge
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

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