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S1K50000 | Standard Cells • Large scale integration (0.35 µm CMOS, using 3-, or 4-layer interconnect process, number of raw gates: 1,450,000 Max)\r\n• High-speed operation (Internal gate delay: 136ps/3.3V, 2-input power-NAND Typ.)\r\n• Selectable power supply voltage: Using single power supply: (2.0 V, 2.5 V, 3.3 V)\r\n• Usi; | Epson 爱普生 | Epson | |
S1K50000 | Standard-Cell Development Flow 文件：2.03999 Mbytes 页数：130 Pages | EPSON 爱普生 | EPSON | |
SMA | Slkor(萨科微 | Slkor(萨科微 | ||
DIODES(美台) | DIODES(美台) | |||
DO-214AC | VISHAY |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2026-1-29 10:21:00
