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S1JH	文件：563.61 Kbytes Page：6 Pages	1A, 50V - 1000V Surface Mount Rectifier 文件：563.61 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
S1JHE	文件：176.74 Kbytes Page：5 Pages	丝印：A7；Package：SOD-323EP；Surface Mount Rectifiers, 1 A, 400 V - 600 V Features  Low Profile Package with 文件：176.74 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
S1JHE3-5AT	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Glass Passivated Rectifier FEATURES • Low profile package • Ideal for automated placement • Glass passivated chip junction • Low forward voltage drop • Low leakage current • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • Material 文件：83.75 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
S1JHE3-61T	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Glass Passivated Rectifier FEATURES • Low profile package • Ideal for automated placement • Glass passivated chip junction • Low forward voltage drop • Low leakage current • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • Material 文件：83.75 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
S1JHE3-A/H	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Glass Passivated Rectifier FEATURES • Low profile package • Ideal for automated placement • Glass passivated chip junction • Low forward voltage drop • Low leakage current • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • Material 文件：83.75 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
S1JHE3A-I	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Glass Passivated Rectifier FEATURES • Low profile package • Ideal for automated placement • Glass passivated chip junction • Low forward voltage drop • Low leakage current • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • Material 文件：83.75 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
S1JHE3-ASLASHH	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Glass Passivated Rectifier FEATURES • Low profile package • Ideal for automated placement • Glass passivated chip junction • Low forward voltage drop • Low leakage current • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • Material 文件：83.75 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
S1JHE	文件：163.21 Kbytes Page：5 Pages	丝印：A7；Package：SOD-323EP；Surface Mount Rectifiers, 1 A, 400 V - 600 V 文件：163.21 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
S1JHE3/5AT	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Glass Passivated Rectifier 文件：83.75 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
S1JHE3/5AT	文件：84.55 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Glass Passivated Rectifier 文件：84.55 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

产品属性

产品编号：
S1JH
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
12pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

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