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SMTPB186	文件：55.13 Kbytes Page：5 Pages	TRISILTM DESCRIPTION TheSMTPBxxserieshasbeendesignedtoprotecttelecommunicationequipmentagainstlightningandtransientinducedbyACpowerlines. FEATURES BIDIRECTIONALCROWBARPROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGERANGE:From62VTo270V. HOLDINGCURRENT:IH=150mAmin REPETITIVEPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SNA-186	文件：349.47 Kbytes Page：4 Pages	DC-8GHz,CascadableGaAsHBTMMICAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevices’SNA-186isaGaAsmonolithicbroadbandamplifier(MMIC)housedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.Thisamplifierprovides12dBofgainand+13dBmofP1dBpowerwhenbiasedat4Vand50mA. ProductFeatures •Patented,ReliableGaAsHBTTech	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SPNZ186	文件：144.46 Kbytes Page：43 Pages	Thisdocumentdescribestheknownexceptionstothefunctionalspecificationsforthedevice.	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
SQJ186ELP	文件：182.45 Kbytes Page：6 Pages	AutomotiveN-Channel80V(D-S)175째CMOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SQJQ186E	文件：187.65 Kbytes Page：6 Pages	AutomotiveN-Channel80V(D-S)175째CMOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Thin1.9mmheight •Materialcategorization fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
S186P
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
Photo Diode

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更多S186P供应商更新时间2025-7-25 16:19:00

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