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SQJQ186E	文件：187.65 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.9 mm height • Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：187.65 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ186E	文件：217.29 Kbytes Page：7 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.9 mm height • Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：217.29 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ186E_V01	文件：217.29 Kbytes Page：7 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.9 mm height • Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：217.29 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ186ER	文件：182.63 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm package • Very low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：182.63 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ186ER	文件：183.56 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm package • Very low thermal resistance • Material categorization:  for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：183.56 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ186ER_V01	文件：182.63 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Thin 1.6 mm package • Very low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：182.63 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQJQ186E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET • TrenchFET® Gen IV power MOSFET\n• AEC-Q101 qualified\n• 100 % RG and UIS tested;	Vishay 威世	Vishay
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技术参数

Package：
PowerPAK 8 x 8L
Channel：
N
VDS (V)：
80
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
245
PDMax. (W)：
357
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0023
Qg@10V (nC)：
123
Qgs (nC)：
36
Qgd (nC)：
26
VGS (th)Min. (V)：
2.5
RgTyp. (Ω)：
1.3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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