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S1337-66BR

适用于紫外到红外 精密光度计测

\n-低电容;

Hamamatsu

滨松光子

S1337-66BR

Si photodiode For UV to IR, precision photometry

文件:136.64 Kbytes 页数:4 Pages

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

S1337-66BQ

Si photodiode For UV to IR, precision photometry

文件:136.64 Kbytes 页数:4 Pages

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

S13B-PH-KL

N/A

S13B-PH-K-S

N/A

技术参数

  • 象元数:

    1

  • 封装:

    陶瓷

  • 制冷:

    非制冷

  • 反偏电压(最大):

    5V

  • 光谱响应范围:

    340 to 1100 nm

  • 峰值波长:

    960 nm

  • 灵敏度:

    0.62 A/W

  • 暗电流:

    100 pA

  • 上升时间(典型值):

    1 μs

  • 结电容:

    380 pF

  • 测试条件:

    Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度:λ=960nm,暗电流: VR=10m V,结电容: VR=0V f=10 kHz

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HAMAMATSU/滨松
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更多S1337-66BR供应商 更新时间2026-2-2 9:04:00