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S1337-1010BR	文件：300 bytes Page：1 Pages	适用于紫外到红外精密光度计测 \n-低电容;	Hamamatsu 滨松光子	Hamamatsu
S1337-1010BR	文件：136.64 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode For UV to IR, precision photometry 文件：136.64 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1337-1010BQ	文件：136.64 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode For UV to IR, precision photometry 文件：136.64 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S13B-PH-KL	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	JST JST集团上传：深圳市云泰半导体科技有限公司二部	JST
S13B-PH-K-S	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	JST JST集团上传：深圳市云泰半导体科技有限公司二部	JST

技术参数

象元数：
1
封装：
陶瓷
制冷：
非制冷
反偏电压（最大）：
5V
光谱响应范围：
340 to 1100 nm
峰值波长：
960 nm
灵敏度：
0.62 A/W
暗电流：
200 pA
上升时间（典型值）：
3 μs
结电容：
1100 pF
测试条件：
Ta=25 ℃，除非特别说明均为典型值。灵敏度：λ=9600nm，暗电流： VR=10m V，结电容： VR=0V f=10 kHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	S1337-1010BR	PHOTODIOD	09+	DIP2	4200	原装现货价格有优势量多可发货	询价
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更多S1337-1010BR供应商更新时间2025-11-22 9:31:00

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