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S1226-8BQ	文件：225.31 Kbytes Page：4 Pages	SI PHOTO DIODE Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity Features ● High UV sensitivity: QE 75 (λ=200 nm) ● Suppressed IR sensitivity ● Low dark current ● High reliability Applications ● Analytical equipment ● Optical measurement equipment, etc. 文件：225.31 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1226-8BQ	文件：313.5 Kbytes Page：3 Pages	Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity Features ● High UV sensitivity: QE 75 (λ=200 nm) ● Suppressed IR sensitivity ● Low dark current ● High reliability Applications ● Analytical equipment ● Optical measurement equipment, etc. 文件：313.5 Kbytes 页数：3 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1226-8BQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	适用于紫外到可见光，精密光度计测，抑制近红外灵敏度 \n-高紫外灵敏度： QE＝75 % (λ=200 nm)\n-抑制近红外灵敏度\n-低暗电流\n-高可靠性;	Hamamatsu 滨松光子	Hamamatsu
S1226-8BK	文件：313.5 Kbytes Page：3 Pages	Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity Features ● High UV sensitivity: QE 75 (λ=200 nm) ● Suppressed IR sensitivity ● Low dark current ● High reliability Applications ● Analytical equipment ● Optical measurement equipment, etc. 文件：313.5 Kbytes 页数：3 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1226-8BK	文件：225.31 Kbytes Page：4 Pages	SI PHOTO DIODE Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity Features ● High UV sensitivity: QE 75 (λ=200 nm) ● Suppressed IR sensitivity ● Low dark current ● High reliability Applications ● Analytical equipment ● Optical measurement equipment, etc. 文件：225.31 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU

技术参数

象元数：
1
封装：
金属
封装类型：
TO-8
制冷：
非制冷
反偏电压（最大）：
5V
光谱响应范围：
190 to 1000 nm
峰值波长：
720 nm
灵敏度：
0.36 A/W
暗电流：
20 pA
上升时间（典型值）：
2 μs
结电容：
1200 pF
测试条件：
Ta=25 ℃，除非特别说明均为典型值。灵敏度：λ=720nm，暗电流： VR=10m V，结电容： VR=0V f=10 kHz

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