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S1223	文件：190.62 Kbytes Page：2 Pages	For visible IR precision photometry 文件：190.62 Kbytes 页数：2 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1223_06	文件：77.75 Kbytes Page：2 Pages	Si PIN photodiode For visible to IR, precision photometry 文件：77.75 Kbytes 页数：2 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1223_15	文件：619.31 Kbytes Page：3 Pages	Si PIN photodiodes 文件：619.31 Kbytes 页数：3 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1223-01	文件：190.62 Kbytes Page：2 Pages	For visible IR precision photometry 文件：190.62 Kbytes 页数：2 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1223-01	文件：300 bytes Page：1 Pages	适用于可见到近红外波段精密光度测定 \n-从可见光到近红外波段的高灵敏性\n- 高可靠性\n- 快速响应: fc=20 MHz\n- 低电容;	Hamamatsu 滨松光子	Hamamatsu

技术参数

象元数：
1
封装：
金属
封装类型：
TO-5
反偏电压（最大）：
30 V
光谱响应范围：
320 to 1100 nm
峰值波长：
960 nm
灵敏度：
0.52 A/W
暗电流：
10000 pA
截止频率：
20 MHz
结电容：
20 pF
测试条件：
Ta=25 ℃，除非特别说明均为典型值。灵敏度：λ=780 nm，暗电流： VR=20V，截止频率： VR=20 V，结电容： VR=20 V f=1MHz

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更多S1223供应商更新时间2025-10-13 14:14:00

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