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S11500-1007	文件：453.94 Kbytes Page：7 Pages	Enhanced near infrared sensitivity: QE=40 (貫=1000 nm), back-thinned FFT-CCD 文件：453.94 Kbytes 页数：7 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S11500-1007_15	文件：513.929 Kbytes Page：8 Pages	CCD area image sensor 文件：513.929 Kbytes 页数：8 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S11510	文件：465.78 Kbytes Page：8 Pages	Enhanced near infrared sensitivity: QE=40 (貫=1000 nm) 文件：465.78 Kbytes 页数：8 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S11510_10	文件：465.78 Kbytes Page：8 Pages	Enhanced near infrared sensitivity: QE=40 (貫=1000 nm) 文件：465.78 Kbytes 页数：8 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S11510_15	文件：665.25 Kbytes Page：7 Pages	IR-enhanced CCD image sensors 文件：665.25 Kbytes 页数：7 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S11510-1006	文件：465.78 Kbytes Page：8 Pages	Enhanced near infrared sensitivity: QE=40 (貫=1000 nm) 文件：465.78 Kbytes 页数：8 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S11510-1106	文件：465.78 Kbytes Page：8 Pages	Enhanced near infrared sensitivity: QE=40 (貫=1000 nm) 文件：465.78 Kbytes 页数：8 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S11519_15	文件：571.89 Kbytes Page：4 Pages	Enhanced near IR sensitivity, using a MEMS technology 文件：571.89 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1155	文件：486.59 Kbytes Page：28 Pages	HIGH RIPPLE-REJECTION LOW DROPOUT 文件：486.59 Kbytes 页数：28 Pages	SII 精工爱普生	SII
S115F	文件：105.29 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Rectifier 文件：105.29 Kbytes 页数：2 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE

产品属性

产品编号：
S115
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
58pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-123F
供应商器件封装：
SOD-123FL
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD123FL

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更多S115供应商更新时间2025-12-14 14:02:00

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