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S1035

T1/E1/CEPT/ISDN-PRI TRANSFORMER

文件:56.86 Kbytes 页数:1 Pages

BOTHHAND

S1035J

SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE

Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip

文件:1.60012 Mbytes 页数:12 Pages

TECCOR

S1035W

SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE

Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip

文件:1.60012 Mbytes 页数:12 Pages

TECCOR

S10355-01_15

Si photodiodes

文件:152.46 Kbytes 页数:4 Pages

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

S1035J

Electrical Specifications

文件:1.2956 Mbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

S1035K

Electrical Specifications

文件:1.2956 Mbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

S10355-01

背照式 应用CSP结构

S10355-01是一款背照式光电二极管,为了减小器件边角的盲点而采用CSP结构。CSP结构允许以平铺的格式应用多个器件。 \n-允许以平铺的格式安排多个器件\n-信号读出终端采用图案电极\n-可方便耦合进闪烁体;

Hamamatsu

滨松光子

S10356-01

背照式 应用CSP结构

S10356-01是一款背照式光电二极管,为了减小器件边角的盲点而采用CSP结构。CSP结构允许以平铺的格式应用多个器件。 \n-允许以平铺的格式安排多个器件\n-信号读出终端采用图案电极\n-可方便耦合进闪烁体;

Hamamatsu

滨松光子

技术参数

  • 象元数:

    1

  • 封装:

    CSP

  • 制冷:

    非制冷

  • 反偏电压(最大):

    10V

  • 光谱响应范围:

    400 to 1100 nm

  • 峰值波长:

    960 nm

  • 灵敏度:

    0.6 A/W

  • 暗电流:

    1000 pA

  • 上升时间(典型值):

    15 μs

  • 结电容:

    500 pF

  • 测试条件:

    Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度:λ=960nm,暗电流: VR=10m V,结电容: VR=0V,f=10kHz

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI/德州仪器
23+
SOP
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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HAMAMATSU
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DIPSOP10
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全新原厂原装产品、公司现货销售
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24+
SOP8
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郑重承诺只做原装进口现货
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更多S1035供应商 更新时间2026-1-17 11:09:00