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S-LDAN222T1G	文件：485.43 Kbytes Page：4 Pages	Common Cathode Silicon Dual Switching Diode FEATURES ●FastTrr ●LowCD ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
S-LDAN222T1G	文件：168.16 Kbytes Page：4 Pages	Common Cathode Silicon Dual Switching Diode CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSC–89packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisataprem	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
S-LDAN222T1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	开关二极管;	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
DAN222T1	文件：49.75 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222T1G	文件：49.75 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222T1G	文件：125.18 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSOT−416/SC−90packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •LowCD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222T1G	文件：165 Kbytes Page：5 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeis designedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.This deviceishousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesigned forlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •Lo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222T1	文件：54.53 Kbytes Page：6 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222T1	文件：64.9 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222T1	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Qualified to AECQ101：
Y
VR (V)：
80
IF (mA)：
100
VF Max(V)：
1.2
VF@If(mA)：
100
IR Max(�A)：
0.1
IR@VR(V)：
70
trr(ns)：
4
Package：
SC-89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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