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DAN222T1G	文件：125.18 Kbytes Page：4 Pages	Common Cathode Silicon Dual Switching Diode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSOT−416/SC−90packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •LowCD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222T1G	文件：165 Kbytes Page：5 Pages	Common Cathode Silicon Dual Switching Diode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeis designedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.This deviceishousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesigned forlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •Lo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222T1G	文件：49.75 Kbytes Page：4 Pages	Common Cathode Silicon Dual Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-75，SOT-416 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222T1	文件：49.75 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222T1	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222T1	文件：54.53 Kbytes Page：6 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222T1	文件：64.9 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222T1G	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222T1G	文件：64.9 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAP222T1G	文件：54.53 Kbytes Page：6 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDS222T1G	文件：106.98 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode	FS First Silicon Co., Ltd	FS
LDAN222T1	文件：143.61 Kbytes Page：3 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSC–89packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisataprem	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LDAN222T1G	文件：485.43 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode FEATURES ●FastTrr ●LowCD ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LDAN222T1G	文件：168.16 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSC–89packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisataprem	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
NSVDAN222T1G	文件：165 Kbytes Page：5 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeis designedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.This deviceishousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesigned forlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •Lo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
S-LDAN222T1G	文件：168.16 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSC–89packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisataprem	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
S-LDAN222T1G	文件：485.43 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode FEATURES ●FastTrr ●LowCD ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

产品属性

产品编号：
DAN222T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
100mA（DC）
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
150°C（最大）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SC-75，SOT-416
描述：
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市卓越微芯电子有限公司	DAN222T1G	ON	2020+	SOT423	18600	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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