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SB020	文件：262.33 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:0.6A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
SDA020	文件：548.84 Kbytes Page：1 Pages	15.6x5.2x5.2mm	CONQUERConquer Electronics Co., Ltd. 功得电子功得电子工业股份有限公司	CONQUER
SEF020	文件：71.71 Kbytes Page：1 Pages	6.1x2.6x2.6mm(2410)	CONQUERConquer Electronics Co., Ltd. 功得电子功得电子工业股份有限公司	CONQUER
SEH020	文件：302.73 Kbytes Page：1 Pages	10.1x3.1x3.1mm(4012)	CONQUERConquer Electronics Co., Ltd. 功得电子功得电子工业股份有限公司	CONQUER
SEL020	文件：315.7 Kbytes Page：1 Pages	10.1x3.1x3.1mm(4012)	CONQUERConquer Electronics Co., Ltd. 功得电子功得电子工业股份有限公司	CONQUER
SHM-020	文件：2.1802 Mbytes Page：2 Pages	EXTERNAL??TAMPERPROOF	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SIHFD020	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFD020	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFD020	文件：246.45 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIHFR020	文件：1.84644 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
RXE020-AP
功能描述：
可复位保险丝 Radial Lead .2A 72V 40A Imax
RoHS：
否
制造商：
Bourns
电阻：
7.5 Ohms
保持电流：
0.1 A
安装风格：
SMD/SMT
端接类型：
SMD/SMT
跳闸电流：
0.6 A
系列：
MF-PSHT
工作温度范围：
- 40 C to + 125 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	RXE020S768223-000	RYC	24+		84500		询价
富凯科技(深圳）有限公司	RXE020自恢复保险丝	VISHAY/威世	24+	DIP	50000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
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更多RXE020-AP供应商更新时间2025-7-29 10:03:00

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