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TPC8212-H	文件：446.37 Kbytes Page：7 Pages	High-EfficiencyDC/DCConverterApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8212	文件：190.31 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8212	文件：340.7 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=16mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=11S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancementmode:Vth=0.5~1.2V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UZ8212	文件：101.87 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
UZ8212	文件：207.7 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS UZ8706,UZ8806SERIES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
UZ8212	文件：91.22 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
WSP8212	文件：1.33305 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
WSP8212	文件：826.83 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK

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更多RTL8212-GR-RTL供应商更新时间2025-5-20 11:10:00

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