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TPC8110	文件：267.49 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8110	文件：1.01591 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •POL	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8110	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8110	文件：406.58 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=17mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=16S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10µA(ma	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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