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ACDBQC0230R-HF	文件：477.22 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Features -Lowreversecurrent. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Majoritycarrierconduction. -AEC-Q101Qualified.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
ACDBUC0230-HF	文件：102 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
ALN0230	文件：214.78 Kbytes Page：3 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.
ALN0230	文件：396.64 Kbytes Page：3 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.
AR0230	文件：959.34 Kbytes Page：36 Pages	FullHDDigitalImageSensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
AR0230CS	文件：864.75 Kbytes Page：33 Pages	1/2.7-Inch2.1Mp/FullHDDigitalImageSensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
AR0230CS	文件：181.11 Kbytes Page：24 Pages	1/2.7?릋nch2.1Mp/FullHDDigitalImageSensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ASB0230	文件：143.43 Kbytes Page：3 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Features IO=200mA VR=30V -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythinpackage. -Lowdrop-downvoltage. -Majoritycarrierconduction -Lead-freedevice MechanicalData -Case:0603(1608)1005(2512)standardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,sold	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司
B0230D	文件：1.19922 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
CDBER0230L	文件：203.05 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts Features Lowforwardvoltage. Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:0503(1308)standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-S	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CDBER0230L-HF	文件：203.23 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts RoHSDevice HalogenFree Features -Lowforwardvoltage. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata -Case:0503/SOD-723Fstandardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CDBER0230R	文件：201.49 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts Features Lowreversecurrent. Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:0503(1308)standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-S	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CDBER0230R-HF	文件：201.77 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts RoHSDevice HalogenFree Features -Lowforwardvoltage. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata -Case:0503/SOD-723Fstandardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CDBERT0230R	文件：130.84 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts Features Lowreversecurrent. Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:0503(1308)standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-S	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CDBF0230	文件：65.65 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts Features Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Lowdrop-downvoltage. Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:1005(2512)Standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CDBF0230-HF	文件：200.87 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA RoHSDevice HalogenFree VR=30Volts Features -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Majoritycarrierconduction. -Lowdrop-downvoltage. Mechanicaldata -Case:1005/SOD-323Fstandardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplat	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CDBF0230L	文件：124 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts Features LowforwardVoltage Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:SOD-323F(2512)Standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMI	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CDBF0230L-HF	文件：152.4 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts Features Halogenfree. Lowforwardvoltage. Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:1005(2512)standardpackagemoldedplastic. Terminals:Goldplated,sol	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CDBF0230R	文件：124.43 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts Features LowforwardVoltage Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:SOD-323F(2512)Standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMI	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CDBF0230R-HF	文件：201.22 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts Features Halogenfree. Lowreversecurrent. Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:1005(2512)standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solde	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司

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晶体管资料

型号：
RTJ0230
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
50HZ－Thy
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BRY55/300,BT149D,TAG70D,TAG72D,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
300
htest：
999900
atest：
.4
wtest：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RTJ0230供应商更新时间2024-4-28 15:30:00

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