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RTR025N03	文件：57.74 Kbytes Page：3 Pages	2.5VDriveNchMOSFET Features 1)LowOn-resistance. 2)Spacesaving−smallsurfacemountpackage(TSMT3). 3)Lowvoltagedrive(2.5Vdrive). Applications Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTR025N03	文件：486.79 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RTR025N03	文件：54.91 Kbytes Page：3 Pages	2.5VDriveNchMOSFET Features 1)LowOn-resistance. 2)Spacesaving−smallsurfacemountpackage(TSMT3). 3)Lowvoltagedrive(2.5Vdrive). Applications Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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RTR025N03TL	文件：1.02544 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
RTF025N03TL
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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