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S9014	文件：259.39 Kbytes Page：2 Pages	LowLevel&LowNoise FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W CollectorCurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S9014	文件：669.31 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 三联盛科技股份深圳市三联盛科技股份有限公司	SHENZHENSLS
S9014	文件：259.589 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES •ComplementaryToS9015. •ExcellentHFELinearity. •Powerdissipation.(PC=0.2W) APPLICATIONS •Per-Amplifierlowlevel&lownoise.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
S9014	文件：173.74 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •ComplimentarytoS9015	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
S9014	文件：152.43 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
S9014	文件：575.9 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
S9014	文件：1.51143 Mbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ComplementaryToS9015. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=0.2W) APPLICATIONS ●Per-Amplifierlowlevel&lownoise.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
S9014	文件：159.83 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES •Hightotalpowerdissipation.(PC=0.45W) •HighhFEandgoodlinearity •ComplementarytoS9015	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
S9014	文件：487.48 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES •ComplementarytoS9015	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
S9014	文件：327.5 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors MechanicalData •Case:SOT-23Moldedplastic •Epoxy:UL94V-Orateflameretardant •RoHScompliantpackage	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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