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S9012	文件：175.39 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoS9013 ●ExcellenthFElinearity	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
S9012	文件：1.63318 Mbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
S9012	文件：940.58 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSOSTOR(PNP) FEATURE Powerdissipation PCM:0.625WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:-0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
S9012	文件：259.89 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=-500mA） ●ComplementaryToS9013. ●ExcellentHFELinearity. APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
S9012	文件：154.01 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
S9012	文件：682.52 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 三联盛科技股份深圳市三联盛科技股份有限公司	SHENZHENSLS
S9012	文件：1.51148 Mbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=-500mA） ●ComplementaryToS9013. ●ExcellentHFELinearity. APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
S9012	文件：239.43 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W CollectorCurrent ICM:-0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S9012	文件：285.21 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
S9012	文件：327.89 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications.Especially suitableforAF-driverstagesandlowpoweroutput stages. Thetransistorissubdividedintothreegroups,G, HandI,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistor9013	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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详细参数

型号：
RT9012-MGGQW
功能描述：
IC REG LDO 2.8V/1.8V .3A 8WDFN
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> PMIC - 稳压器 - 线性
系列：
-
标准包装：
50
稳压器拓扑结构：
正，固定式
输出电压：
2.1V
输入电压：
最高 7.5V 电压 -
压降（标准）：
-
稳压器数量：
1 电流 -
输出：
5A（最小值）电流 -
限制（最小）：
5.1A
工作温度：
-40°C ~ 100°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-5
供应商设备封装：
TO-220-5
包装：
管件
配用：
296-20624-ND - EVAL MOD FOR TPS72518
其它名称：
296-15154-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RT9012-MGGQW供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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