RT8231A数据手册集成电路（IC）的特殊用途稳压器规格书PDF

描述 Description

RT8231A/B 集成了一个同步 Buck 架构的 PWM 控制器、一个具有 1.5A 电流吐纳能力的追踪型线性稳压器和有缓冲的低噪声参考源，可为 DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4 内存系统提供完整的电源供应。

PWM 控制器具有低电流消耗、高效率、卓越的瞬态回应和高输出精度等特性，可用于笔记本电脑将电池高压转换为低压为内存系统供电。该控制器采用固定导通时间的 PWM 控制架构，可以在极宽 VIN/VOUT 比的情况下工作，使用方便，面对负载瞬变时具有快达 100ns 的“实时”响应能力，同时保持基本固定的工作频率。

由于省略了传统的电流模式 PWM 控制器中常见的电流检测电阻，RT8231A/B 在降低了成本的情况下，还能获得更高的效率。由于具有驱动大型同步整流 MOSFET 开关的能力，转换效率也得到了进一步提高，使得该转换器可以极高的效率直接从电池取电为系统供电。

具有 1.5A 电流吐纳能力的低压差线性稳压器具有快速的瞬态响应能力，只需使用 10μF 的陶瓷输出电容即可保持稳定工作。它还可以使用外来的电源输入，因而可以最大化地降低总的功率损耗。

RT8231A/B 支持所有的睡眠状态控制方法，可在 S3 期间将 VTT 置于高阻状态，在 S4/S5 期间对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电操作（软关机）。

RT8231A/B 具有 OVP、UVP 和热关机等保护特性，其封装为 WQFN-20L 3x3。

特性 Features

• PWM 控制器► 下桥 RDS(ON) 检测方式的可调电流限制► 低静态电流消耗► 100ns 快速瞬态响应能力► 全输入、负载范围内 1% VVDDQ 电压精度► 0.675V~3.3V 可调输出范围，可供 1.8V (DDR2)、1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V (LPDDR3)、1.2V (DDR4) 和 1.1V (LPDDR4)► 输入电压范围：4.5V~26V► 工作频率由电阻调节► 过压/欠压保护► 内置软启动► 可驱动大型同步整流 MOSFETs► Power Good 指示
• 1.5A LDO (VTT)，带缓冲的参考源(VTTREF)► 高达 1.5A 电流吐纳能力► LDO 输入可选，优化功率损失► 仅需 10μF 陶瓷输出电容► 集成分压器使 VTT 和 VTTREF 追踪 1/2 VDDQ► VTTREF 和 VTT 的精度：±20mV► 支持 S3 的高阻状态和 S4/S5 的软关机操作
• 符合 RoHS 规范，不含卤素

应用 Application

• DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4 内存电源
• 笔记本电脑
• SSTL18, SSTL15 和 HSTL 总线终端