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SI4730	文件：3.97516 Mbytes Page：302 Pages	Si47XXPROGRAMMINGGUIDE	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4730	文件：2.08176 Mbytes Page：68 Pages	Si470X/1X/2X/3X/4XEVALUATIONBOARDTESTPROCEDURE Introduction ThepurposeofthisdocumentistodescribethetestproceduresusedinSiliconLaboratoriesfortheSi470x/1x/2x/3x/4xevaluationboards(EVB).ItisalsointendedtoenablecustomerstoexactlyreplicateSiliconLaboratories’testenvironmentsothatvariancesincustomers’andS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
Si4730	文件：10.08153 Mbytes Page：164 Pages	ThankyouforpurchasingtheSiliconLaboratories	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4730	文件：197.25 Kbytes Page：2 Pages	BroadcastAM/FMRadioReceiver Introduction ThisdocumentprovidesgeneralSi47xxdesignguidelinesandAM/FM/SW/LW/WBantennaselectionswhichincludesschematic,BOM,layoutanddesignchecklist.AllusersshouldfollowtheSi47xxdesignguidelinespresentedinSection2andthenuserscanproceedtotheappropriateantenn	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4730EY	文件：68.92 Kbytes Page：4 Pages	Current-SensingPowerMOSFETs INTRODUCTION VishaySiliconixcurrent-sensingpowerMOSFETsofferasimplemeansofincorporatingaprotectionfeatureintoanelectroniccontrolcircuitandavoidingcatastrophicfailuresresultingfromovercurrent(overload)and/orshort-circuitconditions.ThedevicepackageisamodifiedD2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SMA4730A	文件：194.2 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiodes ■Features ●Ptot1.0W ●Vz3.3V-100V ■Applications ●StabilizingVoltage	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
SMA4730A	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features ◆Glasspassivatedchip ◆Lowleakage ◆Built-instrainrelief ◆Lowinductance ◆Highpeakreversepowerdissipation ◆Lead-Freecomponent ◆Foruseinstabilizingandclippingwithhighpowerrating	SOCAYSocay Electornics Co., Ltd. 硕凯电子硕凯电子股份有限公司	SOCAY
SMA4730A	文件：164.72 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiodes	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
SMA4730A	文件：151.61 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountZenerDiodes1W SurfaceMountZenerDiodes1W	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
SMA4730A	文件：352.45 Kbytes Page：3 Pages	1WGLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE FEATURES ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpower	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI

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