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SMV2070A-LF	文件：40.88 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGECONTROLLEDOSCILLATOR	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
SMV2070A-LF	文件：73.7 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
SMV2070A-LF	文件：70.11 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillator	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
SR2070	文件：125.55 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100VoltsForwardCurrent-20.0Amperes FEATURES TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
SR2070C	文件：261.64 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C,0.25”(6.35mm)fromcasefor	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
SR2070C	文件：125.78 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory ♦FlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C,0.25”(6.35mm)fromcasef	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
SRF2070	文件：175.37 Kbytes Page：2 Pages	SwitchmodeFullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers SwitchmodeFullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrec	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
SRF2070CE	文件：174.86 Kbytes Page：2 Pages	SwitchmodeFullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers SwitchmodeFullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrec	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
SSBD2070CT	文件：342.61 Kbytes Page：6 Pages	MainProductCharacteristics	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSBD2070CTF	文件：342.61 Kbytes Page：6 Pages	MainProductCharacteristics	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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