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D1A050D	文件：32.21 Kbytes Page：1 Pages	DIPREEDRELAY Features Moldedepoxybody DIPtypeconstructionwiththesameterminalpitchas ICsorTTLssimplifiesPCboarddesigning.Inaddition, thehighsensitivityallowsdirectdrivingbyTTL,etc. Automaticinsertioncompatible Sealedconstructionpermitsautomaticflowsolderingandclean	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
RT1A050ZP	文件：220.1 Kbytes Page：6 Pages	1.5VDrivePchMOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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A1A050TW

文件：675.5 Kbytes

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FORMULAULMoldedCaseCircuitBreakers

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etc2

D1A050D

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DIPREEDRELAY

Features Moldedepoxybody DIPtypeconstructionwiththesameterminalpitchas ICsorTTLssimplifiesPCboarddesigning.Inaddition, thehighsensitivityallowsdirectdrivingbyTTL,etc. Automaticinsertioncompatible Sealedconstructionpermitsautomaticflowsolderingandclean

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

RT1A050ZP

文件：220.1 Kbytes

Page：6 Pages

1.5VDrivePchMOSFET

■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

详细参数

型号：
RT1A050ZPTR
功能描述：
MOSFET P Chan-12V-5A Mid-PowerSwitching
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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