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UPA1731

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=10.3mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–5.0A) RDS(on)2=14.6mΩTYP.(VGS=–4.5V,ID=–5.0A) RDS(on)3=16.5mΩTYP.(VGS=–4.0V,ID=–5.0A) •LowCiss:Ciss=2600pFTYP. •Built-inG-Sprotect

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA1731

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheµPA1731isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=10.3mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–5.0A) RDS(on)2=14.6mΩTYP.(VGS=–

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPA1731G

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=10.3mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–5.0A) RDS(on)2=14.6mΩTYP.(VGS=–4.5V,ID=–5.0A) RDS(on)3=16.5mΩTYP.(VGS=–4.0V,ID=–5.0A) •LowCiss:Ciss=2600pFTYP. •Built-inG-Sprotect

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UPA1731G

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheµPA1731isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=10.3mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–5.0A) RDS(on)2=14.6mΩTYP.(VGS=–

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更多RT1731供应商 更新时间2025-5-23 16:58:00