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BSO110N03MSG	文件：318.18 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
HM110N03D	文件：553.41 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
NDT110N03	文件：1.93729 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NP110N03PUG	文件：344.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP110N03PUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RRS110N03	文件：105.93 Kbytes Page：5 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSH110N03	文件：174.11 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS110N03	文件：60.44 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,11A,-11A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SUM110N03	文件：41.3 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)175CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UT110N03	文件：148.67 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
RSS110N03TB
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	RSS110N03TB	RohmSemiconductor	24+	8-SOIC	7500		询价
深圳市博浩通科技有限公司	RSS110N03TB	Rohm	23+	8-SOIC	7750	全新原装优势	询价
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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	RSS110N03TB	Rohm Semiconductor	2022+	8-SOIC(0.154	38550		询价
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更多RSS110N03TB供应商更新时间2025-5-20 15:53:00

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