600V 超结MOS

REASUNOS

瑞森半导体

600V N-Channel MOSFET

文件：559.23 Kbytes 页数：8 Pages

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

47A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

文件：277.86 Kbytes 页数：7 Pages

KIA

可易亚半导体

600V 0.07(ohm) N-channel MOSFET

文件：1.19783 Mbytes 页数：10 Pages

MGCHIP

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 53A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.07Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件：373.29 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电