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详细参数

  • 型号:

    RSD200N10TL

  • 功能描述:

    MOSFET Nch; 20W; 100V; 20A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RHOM
21+
TO-252
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ROHM/罗姆
24+
TO252
990000
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更多RSD200N10TL供应商 更新时间2026-1-27 10:47:00