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RSD045P05中文资料4V Drive Pch MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RSD045P05

参数属性

RSD045P05 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET P-CH 45V CPT3

功能描述

4V Drive Pch MOSFET
MOSFET P-CH 45V CPT3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-27 14:15:00

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RSD045P05规格书详情

特性 Features

•4V驱动型 Pch 功率MOSFET

简介

RSD045P05属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的RSD045P05晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RSD045P05

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Status

    :新设计非推荐

  • 封装

    :CPT3

  • 包装数量

    :2500

  • 最小独立包装数量

    :2500

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Grade

    :Standard

  • Package Code

    :TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package

    :SC-63

  • Package Size[mm]

    :6.5x9.5 (t=2.3)

  • Number of terminal

    :3

  • Polarity

    :Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :-45

  • Drain Current ID[A]

    :-4.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

    :0.185

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.16

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.112

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.185

  • Total gate charge Qg[nC]

    :5.6

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :20.0

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

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