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RSB6.8JS2T2R电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料

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厂商型号

RSB6.8JS2T2R

参数属性

RSB6.8JS2T2R 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;RSB6.8JS2T2R应用范围:通用;产品描述:LOW CAPACITANCE ZENER DIODE : RO

功能描述

Ultra Low Capacitance ESD Protection Diode

丝印标识

DEB

封装外壳

SOT-563 / SOT-563,SOT-666

文件大小

1.18577 Mbytes

页面数量

4

生产厂商

TECHPUBLIC

中文名称

台舟电子

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更新时间

2025-12-10 19:27:00

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RSB6.8JS2T2R规格书详情

特性 Features

4 30W peak pulse power(8/20ps)

# Ultra low leakage: nA level

® Operating voltage: 5.5V

® Low clamping voltage

® Complies with following standards:

— IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test

Air discharge: +15kV'

Contact discharge: +8kV

— IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)

—IEC61000-4-5 (Lightning) 1.5A (8/20ps)

4 RoHS Compliant

产品属性

  • 产品编号:

    RSB6.8JS2T2R

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    3.5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    6V

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    1pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-563,SOT-666

  • 供应商器件封装:

    EMD6

  • 描述:

    LOW CAPACITANCE ZENER DIODE

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