RS85N150T数据手册REASUNOS中文资料规格书
RS85N150T规格书详情
描述 Description
RS85N150T 是一款低压N沟道场效应晶体管,该产品采用了SGT 工艺,突破性的FOM优化,极低导通电阻,低损耗,高雪崩耐量,高效率。适用于马达驱动,5G基站,储能,高频开关,同步整流等领域。
特性 Features
• VDS = 100V,ID =150A
• RDS(ON) < 3.4mΩ @ VGS =10V
• 极低的导通电阻
• 100%的UIS测试
技术参数
- 制造商编号
:RS85N150T
- 生产厂家
:REASUNOS
- Package
:TO-220
- ID(A)
:150
- VDSS(V)
:85
- RDS(on) Typ(mΩ)
:2.8
- RDS(on) Max(mΩ)
:3.6
- Application
:马达驱动/5G基站/储能/高频开关/同步整流
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
KRS |
2016+ |
QFP |
5500 |
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REASUNOS |
22+ |
TO-220 |
130000 |
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TI |
24+ |
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KRS |
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QFP |
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KRS |
20+ |
QFP |
500 |
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询价 | ||
REASUNOS |
22+ |
TO-220 |
80000 |
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润石RUNIC |
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SOIC8 |
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KRS |
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KRS |
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QFP |
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润石 |
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