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RS65R190T中文资料650V 超结MOS数据手册REASUNOS规格书

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厂商型号

RS65R190T

功能描述

650V 超结MOS

制造商

REASUNOS

中文名称

瑞森半导体 瑞森半导体科技(湖南)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 19:10:00

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RS65R190T规格书详情

描述 Description

RS65R190T 是瑞森采用先进的超结工艺制造的N沟道多层外延超结场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品具有极低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于大功率开关电源,充电桩,矿机等领域。

特性 Features

VDS =650V,ID =20A
RDS(ON) <190mΩ @ VGS = 10V
超结工艺
极低的导通电阻
100%的UIS测试

技术参数

  • 制造商编号

    :RS65R190T

  • 生产厂家

    :REASUNOS

  • ID(A)

    :20

  • VDSS(V)

    :650

  • RDS(on) Typ(mΩ)

    :160

  • RDS(on) Max(mΩ)

    :190

  • Application

    :LED驱动/PFC线路/开关电源/不断电供应系统UPS/新能源电力设备

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