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RS60N130G数据手册REASUNOS中文资料规格书

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厂商型号

RS60N130G

功能描述

60V N Channel MOSFET

制造商

REASUNOS

中文名称

瑞森半导体 瑞森半导体科技(湖南)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 19:08:00

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RS60N130G规格书详情

描述 Description

RS60N130G是一款低压N沟道场效应晶体管,该产品采用了SGT 工艺,突破性的FOM优化,极低导通电阻,低损耗,高雪崩耐量,高效率。适用于马达驱动,5G基站,储能,高频开关,同步整流等领域。

特性 Features

• VDS = 60V,ID =130A
• RDS(ON) < 2.5 mΩ @ VGS =10V
• RDS(ON) < 3.4mΩ @ VGS =4.5V
• 极低的导通电阻
• 100%的UIS测试

技术参数

  • 制造商编号

    :RS60N130G

  • 生产厂家

    :REASUNOS

  • Package

    :DFN5*6

  • ID(A)

    :130

  • VDSS(V)

    :60

  • RDS(on) Typ(mΩ)

    :2.1

  • RDS(on) Max(mΩ)

    :2.5

  • Application

    :马达驱动/5G基站/储能/高频开关/同步整流

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
REASUNOS
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