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AN-402	文件：631.26 Kbytes Page：21 Pages	LowPower,LowNoiseandDistortionail-to-RailOutputAmplifiers GENERALDESCRIPTION TheADA4841-1/ADA4841-2areunitygainstable,lownoiseanddistortion,rail-to-railoutputamplifiersthathaveaquiescentcurrentof1.5mAmaximum.Despitetheirlowpowerconsumption,theseamplifiersofferlowwidebandvoltagenoiseperformanceof2.1nV/√Hzand1.4pA/	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ANNA-B402	文件：2.12386 Mbytes Page：36 Pages	Stand-aloneBluetooth5.1lowenergymodule	U-BLOXu-blox AG AGu-blox AG	U-BLOX
AOD402	文件：341.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD402	文件：250.14 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD402	文件：111.36 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD402usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,laodswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD402isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD402L	文件：111.36 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD402usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,laodswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD402isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOGW402-B	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOGW402-G	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
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AOI402	文件：330.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI402	文件：960.86 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT402	文件：68.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOT402usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOT402isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOT4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT402	文件：297.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=105V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT402L	文件：68.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOT402usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOT402isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOT4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU402	文件：73.58 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU402usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU402isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU402	文件：960.06 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU402	文件：353.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=60mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
RS402M
功能描述：
桥式整流器 4A 100V
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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