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RS2DHE3/5BT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ES2DHE3/5BT	文件：104.1 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPlasticRectifier FEATURES •Glasspassivatedpelletchipjunction •Idealforautomatedplacement •Ultrafastrecoverytimesforhighefficiency •Lowforwardvoltage,lowpowerlosses •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailabl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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RS2DHE3/5BT

文件：100 bytes

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Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

ES2DHE3/5BT

文件：104.1 Kbytes

Page：4 Pages

SurfaceMountUltrafastPlasticRectifier

FEATURES •Glasspassivatedpelletchipjunction •Idealforautomatedplacement •Ultrafastrecoverytimesforhighefficiency •Lowforwardvoltage,lowpowerlosses •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailabl

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Vishay

产品属性

产品编号：
RS2DHE3/5BT
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1.5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
20pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AA，SMB
供应商器件封装：
DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA

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更多RS2DHE3/5BT供应商更新时间2025-5-15 10:44:00

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