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RS1PB_V01	文件：99.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Glass Passivated Fast Switching Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.0mm •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedpelletchipjunction •Fastswitchingforhighefficiency •Lowthermalresistance •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •AEC-	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
ES1PB_V01	文件：103.84 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountUltrafastRectifiers FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.0mm •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedpelletchipjunction •Ultrafastrecoverytimesforhighefficiency •Lowforwardvoltage,lowpowerlosses •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1perJ-STD-020,LFmaximumpeak	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
ESH1PB_V01	文件：105.5 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountUltrafastRectifiers FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.0mm •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedpelletchipjunction •Ultrafastrecoverytimesforhighfrequency •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerloss •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1perJ-STD-020,LFmaximumpeak	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MSE1PB_V01	文件：111.7 Kbytes Page：5 Pages	Surface-MountESDCapabilityRectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof0.65mm •Idealforautomatedplacement •Oxideplanarchipjunction •Lowforwardvoltagedrop,lowleakage current •ESDcapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MSX1PB_V01	文件：117.14 Kbytes Page：5 Pages	Surface-MountESDCapabilityRectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof0.65mm •Idealforautomatedplacement •Oxideplanarchipjunction •Lowforwardvoltagedrop,lowleakagecurrent •ESDcapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MUH1PB_V01	文件：94.9 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastRectifiers FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof0.65mm •Idealforautomatedplacement •Oxideplanarchipjunction •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Ultrafastrecoverytimesforhighfrequency •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020C, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifie	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
S1PB_V01	文件：100.89 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountGlassPassivatedRectifiers FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.0mm •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedpelletchipjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UH1PB_V01	文件：83.29 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastRectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.0mm •Idealforautomatedplacement •Oxideplanarchipjunction •Ultrafastrecoverytimesforhighfrequency •MeetsMSLlevel1perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 260°C •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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