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RS1G120MN中文资料Nch 40V 34A 功率MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RS1G120MN

功能描述

Nch 40V 34A 功率MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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RS1G120MN规格书详情

描述 Description

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。

特性 Features

• Low on-resistance
• High power package (HSOP8)
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• Halogen free
• 100% Rg and UIS tested

技术参数

  • 制造商编号

    :RS1G120MN

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :HSOP8 (Single)

  • 包装数量

    :2500

  • 最小独立包装数量

    :2500

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Package Code

    :HSOP8S (5x6)

  • Applications

    :Switching

  • Number of terminal

    :8

  • Polarity

    :Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :40

  • Drain Current ID[A]

    :34

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.0156

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.0116

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.0156

  • Total gate charge Qg[nC]

    :4.4

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :25

  • Drive Voltage[V]

    :4.5

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :5x6 (t=1.1)

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