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SCT12N60FD	文件：367.59 Kbytes Page：6 Pages	Triac ThisdeviceissuitableforlowpowerACswitchingapplication,phasecontrolapplicationsuchasfanspeedandtemperaturemodulationcontrol,lightingcontrolandstaticswitchingrelay. Features RepetitivePeakOff-StateVoltage:VDRM=600V R.M.SOn-StateCurrent:IT(RMS)=12A Gat	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SCT12N60P	文件：397.58 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
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SIHA12N60E	文件：1.03346 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SIHA12N60E	文件：319.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SIHB12N60E	文件：207.91 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHB12N60E	文件：217.1 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHF12N60E	文件：319.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHF12N60E	文件：174.38 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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SLP12N60UZ	文件：1.3589 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
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SSF12N60F	文件：542.29 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. Silikron Semiconductor Co.,LTD.	SILIKRON
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更多RS12N60F供应商更新时间2024-5-28 17:18:00

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