RS10N65F中文资料650V N Channel MOSFET数据手册REASUNOS规格书
RS10N65F规格书详情
描述 Description
RS10N65F是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品拥有较强的抗冲击能力，同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷，能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域。
特性 Features
• VDS =650V,ID =10A
• RDS(ON) <0.85Ω @ VGS = 10V
• 抗冲击能力强
• 较低的导通电阻
• 100%的UIS测试
技术参数
- 制造商编号
：RS10N65F
- 生产厂家
：REASUNOS
- ID(A)
：10
- VDSS(V)
：650
- RDS(on) Typ(Ω)
：0.7
- RDS(on) Max(Ω)
：0.84
- Application
：LED驱动/小家电/适配器/工业开关电源
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ORISTE |
20+ |
SOP8 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
询价 | ||
Curtis Industries |
23+ |
原厂封装 |
436 |
深圳现货库存/下单即发/原装正品 |
询价 | ||
CYNTEC |
新 |
1900 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
N/A |
24+ |
10000 |
询价 | ||||
原装ORISTE |
19+ |
SOT-223 |
20000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Curtis Industries |
2022+ |
原厂封装 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
REASUNOS(瑞森) |
2447 |
TO-220F |
105000 |
10个/袋一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
Talent |
24+ |
模块 |
400 |
询价 | |||
ORISTE |
08+ |
SOT223 |
175 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
