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RRH100P03TB

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS= -30V, ID= -12A RDS(ON)

文件:1.70096 Mbytes 页数:5 Pages

Bychip

百域芯

RRH100P03

4V Drive Pch MOSFET

文件:193.11 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

RRH100P03

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.60461 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

RRH100P03TB1

4V Drive Pch MOSFET

文件:193.11 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

RRH100P03

4V Drive Pch MOSFET

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •4V驱动型 Pch 中功率MOSFET;

ROHM

罗姆

详细参数

  • 型号:

    RRH100

  • 功能描述:

    MOSFET Pch -30V -10A MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RRH100供应商 更新时间2025-11-24 18:56:00